삼성전자-SAP, 공동 리서치센터 운영…차세대 메모리 개발 추진

삼성전자는 다음달부터 기업용 소프트웨어 기업인 SAP와 함께 경기 화성사업장 부품연구동(DSR)에서 공동 리서치센터를 운영한다.
양사는 이를 위해 29일 공동 리서치센터 개소식을 갖고 차세대 인메모리 플랫폼 연구개발에 적극 협력하기로 했다.
이날 행사에는 전영현 삼성전자 메모리사업부 사장과 어데어 폭스 마틴 SAP 아시아·태평양지역 회장 등이 참석했다.
삼성전자와 SAP는 지난해 인메모리 플랫폼 ‘SAP HANA’의 공동 기술 개발에 합의한 바 있다. 이후 삼성전자 메모리사업부와 SAP HANA 개발 조직인 SAP Labs 코리아 간의 협업을 통해 이번 공동 리서치센터 설립이 추진됐다. 올해 6월에는 차세대 인메모리 플랫폼 개발 업무협약(MOU)을 체결하기도 했다.
공동 리서치센터는 소형 데이터센터를 운영하는 전용 서버 룸과 두 회사의 연구개발 임직원이 근무하는 사무실로 구성된다. 이곳은 글로벌 고객들이 SAP HANA를 도입하기 전 시험 운용 등 제반 지원을 맡아 최적의 솔루션이 제공될 수 있도록 돕는다. 또 인메모리 시스템용 초고용량 메모리 개발과 도입을 위한 제반 평가도 진행할 예정이다.
특히 삼성전자와 SAP는 20나노 D램 기반 128GB 3DS(3차원 수직 적층) 모듈을 탑재해 단일 서버로 최대 24TB(테라바이트)급의 인메모리 플랫폼 SAP HANA를 구현한 데 이어, 향후 10나노급 D램 기반 256GB 3DS 모듈을 탑재해 차세대 시스템의 성능을 더욱 향상시킬 계획이다. 또 시스템 운영 소비전력도 최소화한 솔루션을 개발할 방침이다.
전 사장은 “10나노급 D램 양산으로 SAP의 차세대 인메모리 시스템에 최적의 솔루션을 적기에 제공할 수 있게 되었다”며 “향후 기술 리더십을 더욱 강화해 초고용량 메모리 시대를 지속 주도해 나갈 것”이라고 강조했다.
[디지털뉴스국 박진형 기자]