하이닉스반도체는 세계 최초로 3중셀 기술을 적용한 32기가비트 낸드플래시 메모리 개발에 성공했다고 밝혔습니다.
3중셀은 하나의 셀에
하이닉스는 이 기술을 기반으로 16기가비트 양산 적용에 한정됐던 48나노 공정기술을 32기가비트 제품까지 확대 적용해 오는 10월부터 양산에 들어갈 예정입니다.
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하이닉스반도체는 세계 최초로 3중셀 기술을 적용한 32기가비트 낸드플래시 메모리 개발에 성공했다고 밝혔습니다.
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