삼성전자가 세계 최초로 20나노급 D램 반도체 의 대량 생산에 돌입했습니다.
생산 라인 현장을 직접 찾은 이건희 회장은 더욱 거세질 반도체발 태풍에 대비해야 한다고 주문했습니다.
강호형 기자가 보도합니다.
【 기자 】
삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인, 16라인을 본격 가동했습니다.
지난해 5월 착공해 첫 가동에 들어간 16라인은 여의도 공원(약 6만 평) 크기에 12층 건물로 구성돼 있습니다.
삼성전자는 이곳에서 세계 최초로 20나노급 D램 양산을 본격 시작해 다시 한 번 '세계 1위 반도체 기술'을 입증했습니다.
지난해 경영복귀 뒤 이곳을 두 번째 방문한 이건희 회장은 반도체 개발 경쟁에 각별한 주의를 당부했습니다.
이 회장은 "더욱 거세질 반도체 업계발 태풍에도 대비해야" 한다고 주문했습니다.
소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 IT 관계자 500여 명이 참석했으며 주요 고객사인 마이크로소프트, HTC, DELL 등의 CEO들은 축하 영상 메시지를 보냈습니다.
20나노급 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 D램보다 생산성이 50% 높고 소비 전력은 40% 이상 줄인것입니다.
생산성이 50% 높아졌다는 것은 기존에 한장의 웨이퍼에 100개의 반도체를 생산했다면 150개를 만들수 있게 됐다는 말입니다.
따라서 다른 경쟁사에 비해 가격 경쟁력 등 반도체 시장에서 우위를 차지하게 됩니다.
▶ 스탠딩 : 강호형 / 기자
- "20나노급 D램 반도체가 들어가 있는 이 12인치 웨이퍼는 연간 1만 장 이상이 생산됩니다. 삼성전자는 내년에 10나노급 D램 반도체 양산에 도전합니다.
MBN뉴스 강호형입니다. [blueghh@mbn.co.kr]