삼성전자, 128GB 대용량 D램 모듈 세계 최초 양산

삼성전자가 3차원 실리콘관통전극(TSV) 적층 기술을 적용한 대용량 128GB 서버용(RDIMM) D램 모듈을 본격 양산한다고 26일 밝혔다.
이번에 양산에 돌입한 D램 모듈은 세계 최대 용량이다. 삼성전자는 지난해 8월 TSV 기술을 이용해 64GB DDR4 D램 모듈을 양산한 데 이어 이번에 128GB 모듈 양산에도 성공해 D램 용량의 한계를 돌파했다는 평가다. TSV 기술은 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다 얇게 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다.
128GB TSV D램 모듈은 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) DDR4 D램 칩 총 144개로 이뤄져 있다. 기존 와이어(금선)을 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수하고 최적화된 칩 동작회로를 구성할 수 있어 동작속도 상승과 소비전력 감소를 동시에 구현했다. 기존 64GB D램 모듈에 비해 속도가 2배 빠른 반면 소비전력은 50% 낮다는 설명이다.
삼성전자 관계자는 “TSV 기술을 활용해 차세대 초고속 컴퓨팅용 HBM 제품에 이어 일반 소비자용 제품도 적기에 양산해 프리미엄 메모리 시장 확대를 주도할 것”이라고 밝혔다.
[매경닷컴 김용영 기자]