하이닉스, 세계 최초 40나노급 낸드플래시 양산

하이닉스가 내년 초부터 세계 최초로 48나노급 낸드 플래시 양산에 들어갑니다.
낸드 플래시 메모리를 둘러싼 반도체 업체들간의 경쟁에서 한 발 앞서나가게 됐습니다.
김경기 기자가 보도합니다.


하이닉스반도체가 세계 최초로 40나노급 낸드플래시 메모리를 양산하기로 했습니다.

하이닉스는 최근 48나노 공정을 적용한 16Gb 낸드플래시 개발을 모두 마치고 내년초 본격 생산에 들어간다고 밝혔습니다.

우선 1월부터는 수천장 규모의 양산을 시작하고 1분기안에 최고 2만장까지 생산량을 늘릴 방침입니다.

이에 따라 기존 57나노 공정보다 생산량을 60% 이상 높일 수 있게 됐다는 설명입니다.

하이닉스는 그동안 낸드플래시 부문에서 D램에 비해 삼성전자나 도시바 등 다른 업체들에게 상당히 뒤쳐져 있었습니다.

하지만 지난 2004년부터 낸드플래시 개발에 박차를 가하며 선발업체들과의 격차를 서서히 좁혀가고 있습니다.

이번 48나노 공정 양산도 하이닉스에게는 낸드플래시 격차를 줄일 수 있는 절호의 기회.

삼성전자나 도시바가 내년 2분기에나 40나노급 양산에 들어갈 예정이기 때문에 이들보다도 1분기가 빠른 것입니다.

하지만 삼성전자나 도시바도 낸드플래시 개발에 사활을 걸고 있어서 낸드플래시를 둘러싼 경쟁은 앞으로 더욱 치열해질 전망입니다.

mbn 뉴스 김경기입니다.