삼성전자, 세계 최초 40나노 D램 개발

삼성전자가 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다고 밝혔습니다.
이번에 개발된 40나노급 DDR2 제품은 D램 공급업체 가운데 유일하게 지난해 12월 인텔에 단품 채용 평가를 완료한 데 이어 지난달 1기가바이트 모듈까지 2종의 제품 채용 평가를 완료했습니다.
삼성전자는 40나노급 1기가 DDR2 D램 개발 기술을 적용해 40나노급 2기가 DDR3 제품을 올해 안에 개발 완료하고 양산도 개시할 예정입니다.
삼성전자 관계자는 "공정이 더 미세한 40나노급에서 신제품 양산 기간을 1년 이상 단축하는 것은 현재 시장 상황을 적극적으로 타개하려는 전략"이라고 설명했습니다.