휴대폰 탑재 D램 10년간 속도 200배·용량 1천배 증가

휴대폰 탑재 D램 10년간 속도 200배·용량 1천배 증가

스마트폰에 탑재된 메모리 반도체인 모바일 D램의 성능이 10년 전과 비교할 때 데이터 처리 속도는 약 200배 빨라지고 저장용량은 약 1천배 늘어난 것으로 파악됐습니다.

9일 SK하이닉스에 따르면 이 회사 R&D전략실장 피승호 상무는 지난 8일 양재동 엘타워에서 열린 제3차 반도체·디스플레이 기술로드맵 세미나에서 메모리 반도체의 현황 및 전망을 분석한 자료를 통해 이같이 밝혔습니다.

그는 "D램 시장은 용량 기준으로 2012~2018년 사이 연평균 27.5%의 수요 성장률을 보일 것으로 전망된다"면서 "낸드플래시 시장은 이보다 더 가파른 36.9%씩의 연평균 성장을 이어갈 것"이라고 내다봤습니다.

피 상무는 최신 D램 내 커패시터의 폭 대비 높이 비율(A/R·Aspect Ratio)은 현존 세계 최고층 빌딩인 부르즈 칼리파의 폭 대비 높이 비율보다 7배 높다고 강조했다. 즉 칩을 쓰러지지 않도록 하면서 부르즈 칼리파보다 7배 높게 쌓은 셈입니다.

피 상무는 이어 "최근 ICT(정보통신기술) 시장 동향은 모바일로 수렴되던 다양한 기능들이 반대로 모바일에서 웨어러블 기기로 확산하면서 사물인터넷 성장세를 이끌고 있다"면서 "사물인터넷 성장에 따라 커넥티드 기기 및 데이터 센터 수요가 폭증할 것"이라고 관측했습니다.