김 사장은 공급 측면에서 조정이 이뤄지고 있고, 지난 2년간 하강 국면에서 기술력 측면의 차이가 확실히 드러났다며 차세대 D램인 DDR 3은 외국 경쟁업체가 50나노급에도 진입하지 못하고 있다고 설명했습니다.
이어 김 사장은 DDR3 D램에 대해 4분기 40나노급으로 양산 체제를 구축하면 내년까지도 확고한 리더십을 갖출 수 있을 것으로 본다고 전망했습니다.
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