↑ 삼성전자, 업계 최초 9세대 낸드 양산 / 사진 제공=삼성전자 |
삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했습니다.
인공지능(AI) 시대를 맞아 고용량·고성능 낸드의 중요성이 커진 만큼 초고난도 기술로 낸드 시장을 이끈다는 계획입니다.
삼성전자는 오늘(23일) '더블 스택' 구조로 구현 가능한 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산한다고 밝혔습니다.
9세대 V낸드는 현재 주력인 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 제품으로, 290단 수준인 것으로 알려졌습니다.
더블 스택은 낸드플래시를 두 번에 걸친 '채널 홀 에칭'으로 나눠 뚫은 뒤 한 개의 칩으로 결합하는 방법을 말합니다.
삼성전자는 채널 홀 에칭 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신으로 생산성을 끌어올렸다고 설명했습니다.
채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 쌓은 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술로, 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산 효율이 증가하기 때문에 정교화·고도화가 요구됩니다.
삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트의 수)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다고 밝혔습니다.
9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 '토글(Toggle) 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps(초당 기가비트)의 데이터 입출력 속도를 구현했습니다.
삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획입니다.
삼성전자는 올해 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'를 양산하는 등 AI 시대에 요구되는 고용량·고성능 낸드 개발에 박차를 가할 계획입니다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 플래
[김종민 기자 saysay3j@naver.com]