삼성 반도체, 불가능을 깼다...10나노급 D램 시대 열어

삼성전자가 메모리 반도체 분야에서 그동안 불가능의 영역으로 여겨졌던 ‘10나노급 D램 시대’를 세계 최초로 열었다.
삼성전자는 지난 2월부터 세계 최소 크기인 18나노(nm) 8기가비트(Gb) D램을 양산하기 시작했다고 밝혔다. 이번에 양산한 DDR4(Double Data Rate 4)는 PC나 서버에 들어가는 메모리 반도체로 삼성전자는 올해 상반기내로 스마트폰에 들어가는 모바일용 메모리 D램반도체에도 10나노급 기술을 적용해 양산에 나설 계획이라고 덧붙였다. 1나노(nm)는 10억분의 1m로 반도체 회로간격이 그만큼 초미세단위로 촘촘하게 설계했음을 의미한다.
2014년 당시 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 삼성전자는 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램 양산으로 다시 한 번 메모리 반도체 기술분야에서 새로운 이정표를 세웠다. 특히 2010년 7월 20나노급 D램을 양산한지 5년7개월여만에 10나노급 시대에 진입한 것으로 그만큼 기술개발이 쉽지 않았음을 보여준다.
삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 “10나노급 D램은 20나노 D램보다 속도는 30% 이상 빠르면서도 소비전력은 약 20% 절감할 수 있다”며 “독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술을 적용해 생산성도 30%이상 끌어올렸다”고 밝혔다.
삼성전자는 이번 10나노급 D램 양산에 성공함에 따라 원가 하락에 따른 비용절감과 함께 프리미엄급에 해당하는 제품가격 상승효과를 동시에 노려볼 수 있게 됐다. 또한 경쟁사들과의 기술격차도 2년이상으로 다시 벌여놨다. 현재 SK하이닉스가 21나노 D램을 양산하고 있으나 10나노급 D램 양산은 내년초 가능할 것으로 업계에서는 분석하고 있는 상황이다. 메모리반도체분야에서 세계 3위업체인 마이크론도 20나노급 초반 D램으로 생산공정 전환을 시도하고 있지만 어려움을 겪고 있는 것으로 알려지고 있다.
삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 지속적으로 선점한다는 전략이다.
[송성훈 기자]