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↑ 한기진 UNIST 교수 |
한기진 교수는 2일 미국 라스베이거스에서 열린 국제전기전자기술자협회(IEEE)의 제 66회 ‘전자부품과 기술 컨퍼런스(IEEE TCPMT)’에서 ‘최우수 논문상’을 수상했다. 2015년 한 해 동안 IEEE TCPMT에 발표된 200여편의 논문 중 가장 우수한 논문을 발표했다고 인정받은 것이다.
선정된 논문은 실리콘 기반 3차원 집적회로의 중요한 구성요소인 ‘실리콘 관통 전극(TSV)’ 모델링에 관한 내용이다. TSV 공정은 반도체 칩에 수백개의 미세한 구멍을 뚫어 위와 아래에 있는 칩을 연결하는 기술이다. 이 기술이 도입되면서 3차원 적층 반도체가 가능해졌고 집적도 한계를 극복할 수 있게 됐다.
한 교수 연구팀은 TSV 구조를 효과적으로 분석하는 모델링 기법을 제안했다. 이를 통해 더 효울적인 3차원 집적회로 설계를 지원하려는 것이다.
한 교수는 “이 논문에서 제안한 TSV의 전기적 모델은 지금까지 개발된 것 중 가장 완성된 모델이라는 평가를 받는다”며 “이번 수상으로 세계 전자 패키징 분야의 최근 업적 중 가장 우수한 연구
그는 “이 기술을 활용하면 현재 메모리 분야에서 널리 적용되고 있는 3차원 집적 시스템을 더 효율적으로 설계할 수 있다”며 “3차원 집적기술의 확산을 물론 차세대 반도체 패키징 기술에 적용도 기대된다”고 덧붙였다.
[이영욱 기자]
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