삼성전자가 평택에 극자외선(EUV) 파운드리 생산라인을 구축하는 대형 투자 계획을 발표했다. EUV 생산라인 확대로 파운드리 1위인 대만 TSMC 추격에 속도를 내고, 2030년 시스템 반도체 글로벌 1위 달성에 한 걸음 더 다가선다는 목표다.
21일 삼성전자는 경기도 평택사업장에 EUV 기반 초미세 공정 생산라인을 구축하고 2021년부터 본격 양산 가동에 돌입한다고 밝혔다. 투자 규모는 공개되지 않았으나 업계에서는 10조원에 달하는 초대형 투자가 진행될 것으로 보고 있다.
이번 투자는 삼성전자가 작년 4월 발표한 '반도체 비전 2030'의 일환이다. 이재용 삼성전자 부회장은 당시 2030년까지 133조원을 투자해 시스템 반도체 글로벌 1위를 차지하겠다고 밝힌 바 있다.
삼성전자는 지난 2월 EUV 전용 'V1 라인'을 화성사업장에 본격 가동한 데 이어 평택사업장에서도 EUV 파운드리 라인을 구축하며 초미세 공정 생산라인 확장을 본격화하고 있다.
이 부회장은 이번 투자와 관련해 "어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안된다"며 반도체 비전 2030 달성을 위한 투자를 지속하겠다는 의지를 밝혔다.
EUV 기술은 파장이 짧은 극자외선 광원을 이용해 웨이퍼에 반도체 회로를 새기는 기술이다. 기존 공정으로는 할 수 없는 초미세 회로를 구현할 수 있으며 고성능·저전력 반도체를 생산하는데 필수적인 기술이다.
EUV 기술을 활용한 초미세 공정에서는 삼성전자와 TSMC가 치열하게 기술 경쟁을 하고 있다. 현재 글로벌 파운드리 시장에서는 TSMC가 압도적인 1위를 달리고 있으며 삼성전자가 그 뒤를 추격하고 있다.
삼성전자는 EUV 기술에서 우위를 점해 TSMC와의 격차를 좁혀 나간다는 계획이다. 삼성전자는 지난해 이 부회장의 시스템 반도체 비전 발표 이후 파운드리에서 공격적인 투자를 이어가고 있다.
삼성전자는 지난해 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 공정 제품 양산을 시작한 이후 올해 2월에는 EUV 전용 라인인 V1을 가동해 초미세 공정 생산 능력을 확대했다. 내년 평택 라인까지 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 제품의 생산 규모는 가파르게 증가할 전망이다.
삼성전자는 현존하는 최고 미세공정인 5나노 제품을 올해 하반기 화성에서 먼저 양산하고, 평택에서도 5나노 제
정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 "5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것"이라며 "전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나가겠다"고 말했다.
[전경운 기자]
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