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하이닉스 D램 나노기술, 삼성전자 첫 추월

기사입력 2006-10-04 07:02 l 최종수정 2006-10-04 07:02
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하이닉스반도체가 60나노급 D램 시험 생산에 돌입해 미세회로 기술 경쟁에서 처음으로 삼성전자를 앞질렀습니다.
하이닉스는 이달부터 이천공장에서 66나노 회로공정을 적용한 1기가비트 D램 시험 생산을 시작했다고 밝

혔습니다.
이에 따라 하이닉스는 D램 분야 미세회로 공정기술 개발 경쟁에서 선두업체인 삼성전자를 추월하게 됐습니다.
현재 삼성전자는 낸드플래시 부문에서는 60나노 공정을 적용한 제품을 양산하고 있지만 D램 부문에서는 지난해 10월 개발한 70나노 공정이 가장 앞선 기술입니다.


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