삼성전자, 세계 최초 `2세대 10나노급 D램` 본격 양산

↑ [사진 제공 : 삼성전자]

삼성전자가 역대 최고 수준의 공정 개발 난제를 극복하고 세계 최초로 '10나노급 2세대(1y나노) D램'을 양산한다.
삼성전자는 지난달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급(1나노: 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다.
지난해 2월 '1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램'을 양산하며 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 데 이어 21개월 만에 또 반도체 미세공정 한계를 극복했다는 평가다.
2세대 10나노급 D램 제품에는 ▲초고속·초절전·초소형 회로 설계 ▲초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계 ▲2세대 에어 갭(Air Gap) 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다.
기존 1세대 10나노급 D램 대비 속도는 10% 이상 향상됐고 소비 전력량은 15% 이상 절감됐다. 지난 2012년에 양산한 2y나노(20나노급) 4Gb DDR3와 비교하면 용량, 속도, 소비전력효율이 약 2배 개선됐다.
삼성전자는 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 프리미엄 D램 수요 증가에 대응할 수 있는 경쟁력을 갖췄다. 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입할 계획이다.
진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 "발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다"며 "향후 1y나노 D램의 생산확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것"이라고 강조했다.
[디지털뉴스국 박진형 기자]