삼성전자에 이어 하이닉스도 올해 반도체 부문 투자 규모를 3조 5백억 원으로 대폭 확대하기로 했습니다.
당초 계획된 2조 3천억 원보다 30% 이상 늘어난 것입니다.
하이닉스는 메모리반도체 수요가 늘고 있고 모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극적으로 대응하기 위한 것이라고 투자 확대 배경을 설명했습니다.
이를 통해 40나노급 D램 공정전환을 가속화해 15% 수준인 40나노급 제품 비중을 연말까지 50% 수준으로 확대할 계획입니다.
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