하이닉스 "D램, 올해 삼성전자 따라잡겠다"

김종갑 하이닉스반도체 사장은 올해 D램분야에서 선두인 삼성전자와의 격차를 완전히 해소하겠다고 밝혔습니다.
김종갑 사장은 경기도 이천에서 열린 주주총회에서 올해 D램부문의 기술격차를 없애고 낸드플래시 역시 내년 쯤 격차를 크게 줄일 수 있을 것이라며 이같이 말했습니다.
김 사장은 이어 올해는 무엇보다 수익성 1위를 탈환하겠다며, 올해는 전체 매출에서 최대 8%까지 연구개발 투자를 늘릴 것이라고 덧붙였습니다.
하이닉스는 현재 3분기중 54나노 D램 양산을 준비하고 있으며, 낸드플래시 역시 2분기중 48나노 제품 양산을 계획하고 있습니다.