3차원 적층방식의 저항변화 메모리 소자 제안

국내 연구진이 저항변화 메모리의 목표 성능과 제작 기준을 제시한 리뷰논문을 발표했다.
황철성 서울대 재료공학부 교수팀은 저항변화 메모리 소자의 3차원 적층을 위해 필요한 과제를 일목요연하게 도출한 리뷰논문을 발표했다고 24일 밝혔다.
저항변화 메모리 소자란 전기적 자극에 따라 저항이 높아졌다 낮아졌다 반복하면서 각각의 저항상태를 디지털 신호로 만들어 정보를 저장할 수 있는 소자로서 차세대 비휘발성 메모리로 각광받고 있다.
현재 비휘발성 메모리 소자로 널리 사용되는 것은 '낸드플래시(NAND flash)'다. 각 유수한 기업에서는 기존 평면 구조인 낸드 플래시를 3차원으로 적층해 면적당 기억 용량을 크게 향상시킬 수 있는 구조를 제안해서 양산까지 성공하고 있는 상황이다.
따라서 저항변화 메모리 소자가 낸드플래시와 경쟁하기 위해서는 낸드 플래시와 마찬가지로 3차원 적층 구조의 개발이 필수적이다. 연구팀은 3차원 적층 구조에서 예상되는 문제점과 극복방안들을 체계적으로 연구하고 기존에 여러 연구팀에서 발표된 129편의 연구내용들을 종합해 후속연구에 대한 기준을 제시하고 혁신적인 수직 저항변화 메모리 소자 구조를 제안했다.
특히 이번 리뷰논문은 그간 루테늄 나노입자를 이용한 저항상태의 불균일성 극복(어드밴스드 머티리얼스지 2013년 4월 11일 게재)이나 3차원 수직소자에 적용할 수 있는 구조의 소자 개발(어드밴스드 펑셔널 머티리얼스지 2014년 5월 26일 게재) 같은 연구팀의 성과들에 뒤이은 것이어서 더욱 주목받고 있다. 황철성 교수는 "국내외 연구자에 의해 개별적으로 진행돼 온 3차원 적층구조에 관련한 연구 과정에 많은 도움을 줄 것으로 기대된다"고 말했다.
이번 연구결과는 재료과학 분야 국제학술지인 '어드밴스드 펑셔널 머티리얼스지(Advanced Functional Materials)' 온라인판 7월 3일자에 주목받는 논문(Feature Article)으로 실렸다.
[김미연 기자]